制造商产品编号:
TSM60NB099PW C1G
Product Overview
制造商:
Taiwan Semiconductor Corporation
零件编号:
TSM60NB099PW C1G-DG
描述:
MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO247
详细描述:
N-Channel 600 V 38A (Tc) 329W (Tc) Through Hole TO-247
库存:
2055 件 新原装 现货
12895733
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TSM60NB099PW C1G 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Taiwan Semiconductor
包装
Tube
系列
-
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
600 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
38A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
99mOhm @ 11.7A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
62 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
2587 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
329W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-247
包装 / 外壳
TO-247-3
基本产品编号
TSM60
数据表和文档
数据表
附加信息
标准套餐
25
其他名称
TSM60NB099PWC1G
TSM60NB099PW C1G-DG
-2068-TSM60NB099PWC1G
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
TSM60NB099PW
制造商
Taiwan Semiconductor Corporation
可用数量
0
部件编号
TSM60NB099PW-DG
单价
8.01
替代类型
Parametric Equivalent
数字证书
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